眨眼间能完成10亿次存储 上海科研团队研制出超高速闪存
记者从上海市科委获悉，集成芯片与系统全国重点实验室周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型在理论上，预测了超注入现象打破了现有存储速度的理论极限研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件。其擦写速度可提升至亚1纳秒。400皮秒相当于每秒可执行25亿次操作，是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术。相关成果以《亚纳秒超注入闪存》为题于北京时间4月16日晚间在《自然》（Nature）期刊上发表。
AI时代，大数据的高速存储至关重要。如何突破信息存储速度极限，一直是集成电路领域最核心的基础性问题之一，也是制约AI算力上限的关键技术瓶颈。要实现大数据的高速存储，意味着与之匹配的存储器必须是在存储速度、能耗、容量上均表现优异的“六边形战士”。
然而，既有存储器的速度分级架构形如一座金字塔——位于塔上层的易失性存储器（如SRAM、DRAM）拥有纳秒级的高速存储，但其存储容量小、功耗大、制造成本高、断电后数据会丢失；而位于塔底的非易失性存储器（如闪存）则恰恰相反，虽克服了前者的种种劣势，但唯一的美中不足，便是百微秒级的存取速度不及前者十万分之一，遑论满足AI的计算需求。
既然闪存除了速度都是优点，有没有可能补齐它的速度短板？为此，周鹏-刘春森团队开展攻关，试图重新定义存储的边界，找到一种“完美”的存储器。